Breakdown voltage (BV); LDMOSFET; on-resistance (Ron); partial-SOI (PSOI);
机译:硅窗口极性对部分SOI LDMOSFET的影响
机译:射频功率LDMOSFET器件和片上微电感器的部分绝缘体上硅技术
机译:用于高能物理应用的功率LDMOS器件的辐射研究
机译:部分-SOI LDMOS电源装置的硅窗极性研究
机译:碳化硅功率器件的基础MOS研究。
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:通过与排水侧的SCR集成的超交叉口的复合结构对电源N沟道LDMOS设备的ESD改进
机译:关于扩散半导体器件硅功率晶体管可行性研究的最终报告