epitaxial graphene; SiC(11-20); Raman spectroscopy.;
机译:SiC(11-20)上的纳米长方形单外延石墨烯层
机译:SiC(0001)上外延石墨烯生长初期[11-20]步骤的稳定性和反应性
机译:在SiC(0001)上生长的多层外延石墨烯的(相称)畴与单层电子行为的相关性
机译:11-20在SiC(0001)上的初始阶段11-20阶段11-20步骤的稳定性和反应性
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:SiC上生长的超低孔密度单层外延石墨烯的磁阻
机译:外延石墨烯的单层金属性和界面磁性 在siC上(000 $ \ bar {1} $)