silicon carbide epitaxial graphene magnetoresistance PMOS quantum hall resistance standard;
机译:SiC上生长的单层外延石墨烯的线性磁阻
机译:SiC单层外延石墨烯的变程跳跃和非线性传输
机译:通过外延生长实现的石墨烯的光燃载体弛豫加速:超薄光致发光在SiC上单层石墨烯的衰减
机译:载流子迁移率作为4H-SiC上生长和H嵌入的外延图形的温度的函数
机译:氢封端的硅(111)和外延生长的石墨烯基板上功能有机物的表征和纳米图案化。
机译:电子密度和电子电子的温度依赖性SiC上生长的单层外延石墨烯中的相互作用
机译:SiC(0001)上单层和双层外延石墨烯吸附NO2引起的功函数变化