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机译:SiC上生长的单层外延石墨烯的线性磁阻
NIST, Gaithersburg, MD 20899 USA|Natl Taiwan Univ, Dept Phys, Taipei 106, Taiwan;
NIST, Gaithersburg, MD 20899 USA;
NIST, Gaithersburg, MD 20899 USA;
Natl Taiwan Univ, Dept Phys, Taipei 106, Taiwan;
Graphene; Magnetoresistance; Carbon Materials; Electrical properties;
机译:SiC单层外延石墨烯的变程跳跃和非线性传输
机译:SiC上外延石墨烯的经典线性磁阻
机译:SiC上外延石墨烯的经典线性磁阻
机译:载流子迁移率作为4H-SiC上生长和H嵌入的外延图形的温度的函数
机译:氢封端的硅(111)和外延生长的石墨烯基板上功能有机物的表征和纳米图案化。
机译:SiC上生长的超低孔密度单层外延石墨烯的磁阻
机译:SiC(0001)上单层和双层外延石墨烯吸附NO2引起的功函数变化