binary mask; global loading; EASPM; APSM; CDU; CD bias; photomask etch; 45nm;
机译:蚀刻,沉积,清洁和材料挑战向45 nm挑战
机译:业界最高产量的MASK ETCHERⅣ65nm干法蚀刻
机译:极紫外光刻中16纳米半间距蚀刻多层掩模的掩模三维效应
机译:克服掩模蚀刻器中的挑战45 nm&超越
机译:转移学生的成功:拉丁裔学生克服了两年制和四年制大学获得学士学位的挑战。
机译:将PET与18F-AV-45(florbetapir)结合使用以量化临床环境中的脑淀粉样蛋白负荷
机译:低于45nm光刻的无铬相移掩模技术的表征
机译:具有mask-Lite(商标)的智能45nm铸造CmOs降低了掩模成本。