Silicon carbide; Silicon; Current density; Insulated gate bipolar transistors; Switches; Electric breakdown;
机译:新型4H-SiC BJT,利用基极中的浮动掩埋层实现高电流增益,高电流增益稳定性和高击穿电压
机译:以高k电介质为界面层的4H-SiC BJT的电流增益和击穿电压的改善
机译:具有长期稳定电流增益的高压(2.8 kV)免注入4H-SiC BJT
机译:4H-SiC BJT在高电流高压下表征
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:4H-SiC GTO器件中异常的位错聚集引起的正向压降
机译:温度和切换率对高压硅和4H-SiC NPN BJTS动态瞬态的影响:技术评价