CAR; PB; PEB; CD uniformity; lithography; mask; bake; temperature; airflow;
机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:用于正型化学放大抗蚀剂的曝光后烘烤工艺的化学和物理方面
机译:用于正型化学放大型抗蚀剂的曝光后烘烤工艺的化学和物理方面
机译:烘焙过程对CD性能化学放大抗蚀剂的影响
机译:工艺参数对硫酸盐基正极材料电化学性能的影响。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:193nm顶表面成像过程的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能。