机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
ArF lithography; top surface imaging by silylation; non-chemically amplified resist; CAR; dry development; pattern collapse;
机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:掺有重金属的氦离子活性混合非化学增强型抗蚀剂:纳米图案,线条边缘粗糙度低
机译:掺有重金属的氦离子活性混合非化学增强型抗蚀剂:纳米图案,线条边缘粗糙度低
机译:用于193nm顶面成像工艺的新型化学放大正阻性含缩醛型聚(3,3'-二甲氧基丙烯)交联剂
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:193nm顶表面成像过程的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能。