CVD coatings; Raman spectra; chemical vapour deposition; semiconductor growth; semiconductor thin films; silicon compounds; wide band gap semiconductors; 1030 to 1130 degC; Raman scattering; Si; SiC; X-ray diffractometry; chemical vapor deposition; ethene partial pre;
机译:通过大气压化学气相沉积法在多晶硅衬底上生长的多晶3C-SiC薄膜的力学性能
机译:低温,低压和晶种对通过ECR辅助化学气相沉积法生长的金刚石膜的结晶质量,产率和应力的影响
机译:用低压化学气相沉积种植的单晶P型3C-SiC(100)薄膜的压电厅效果
机译:乙烯分压对Si(111)生长的3C-SiC膜结晶度的影响通过化学气相沉积
机译:化学气相沉积在镍(111)上生长的石墨烯中的缺陷结构。
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:金属有机化学气相沉积法制备(100)和(111)取向外延Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3薄膜的取向和膜厚依赖性
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响