silicon; elemental semiconductors; MOSFET; inversion layers; semiconductor device models; Monte Carlo methods; molecular dynamics method; carrier mobility; MOSFET inversion layers; ensemble Monte Carlo technique; molecular dynamics method; Coulomb in;
机译:集成蒙特卡罗/ Si MOSFET的反型层迁移率的分子动力学模拟-衬底杂质的影响
机译:用分子动力学/集成蒙特卡罗(MD / EMC)方法模拟反型层迁移率滚降
机译:用分子动力学/集成蒙特卡罗(MD / EMC)方法模拟反型层迁移率滚降
机译:SI MOSFET中反转层移动性的集合蒙特卡罗/分子动力学模拟 - 基材杂质的效果
机译:纳米通道中电解质溶液流动的分子动力学模拟和石墨上低密度氯甲烷单层的蒙特卡罗模拟。
机译:结合蒙特卡洛和低胆固醇浓度下水合脂质-胆固醇脂质双层的分子动力学模拟。
机译:关于Si MOSFET中反转层迁移率的普遍性:第一部分—衬底杂质浓度的影响