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用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法

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本发明公开了用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法，属于微电子技术领域。步骤如下：A、采用离子注入工艺将五价元素氮植入到4H‑SiC外延层表面；B、采用湿氧氧化工艺形成栅氧化层；C、采用扩散工艺将三价元素硼植入到外延层与氧化层的界面；扩散工艺的扩散温度为950℃，时间为1.5‑2.5小时，确保硼掺杂剂在热动力的驱使下能穿透栅氧化层到达4H‑SiC/SiO

著录项

公开/公告号CN105206513B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-09

原文格式PDF
申请/专利权人安徽工业大学;
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申请/专利号CN201510628841.1
发明设计人周郁明;刘航志;杨婷婷;
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申请日2015-09-28
分类号
代理机构南京知识律师事务所;
代理人蒋海军
地址 243022 安徽省马鞍山市马向路新城东区安徽工业大学(东校区)电气与信息工程学院
入库时间 2022-08-23 10:06:07

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-09

授权

授权
2017-12-19

著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/04 变更前: 变更后: 申请日:20150928

著录事项变更
2016-01-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/04 申请日:20150928

实质审查的生效
2015-12-30

公开

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