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SiGe PMOSFET反型层量子力学效应

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以半导体器件二维数值模拟软件Medici为工具,研究了应变SiGe沟道PMOSFET反型层量子力学效应(QME).模拟和对比了应变SiGe PMOS和Si PMOS反型层量子力学效应对于沟道空穴面密度、表面势和电场的影响,理论上预测了这种影响造成SiGe PMOS和Si PMOS器件性能退化的巨大差异并被数值模拟所初步证实.研究表明,在反型层量子力学效应明显的超深亚微米沟长器件中,SiGe PMOS同Si PMOS相比,器件性能受到的不利影响较小.

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来源
《第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会》|2003年|451-454|共4页
会议地点北京
作者
杨荣; 罗晋生;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类结构、器件;
关键词
应变硅锗; PMOSFET; 反型层; 量子力学效应; SiGe; 数值模拟;

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