机译:应变对具有SiGe合金薄膜的PMOS器件反型层中空穴迁移率的影响
Natl Chung Hsing Univ, Dept Elect Engn, Taichung 402, Taiwan;
Natl Chung Hsing Univ, Dept Elect Engn, Taichung 402, Taiwan;
Natl Chung Hsing Univ, Dept Elect Engn, Taichung 402, Taiwan;
p-Type metal-oxide-semiconductor field effect transistor; Hole mobility; Silicon-germanium alloy;
机译:硅PMOS器件中空穴反转层中量子力学效应的简单模型
机译:通过SiGe导电通道和高压缩ILD增强PMOS空穴迁移率-$ hbox {SiN} _ {x} $应力层
机译:应变PMOS中反转层的空穴迁移率
机译:松弛和应变SiGe PMOS器件反型层中空穴迁移率的研究
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:钙钛矿型太阳能电池中LiTFSI掺杂Spiro-OMeTAD空穴传输层的等离子体暴露诱导迁移性增强及其对器件性能的影响
机译:PMOS器件中SiGe源/漏极层生长中原位硼掺杂的研究