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非量子限条件下P型InSbMOS结构反型层中子能带实验研究

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在100K条件下测量了p型InSb MOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的共振缺陷态.采用非量子限多带C-V拟合模型获得了子能带结构.

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来源
《红外与毫米波学报》 |1994年第5期|369-375|共7页
作者
刘坤; 褚君浩;
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作者单位

不详;

不详;

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正文语种 CHI
中图分类半导体量子理论;
关键词
电容谱; 共振缺陷态; 子能带; 锑化铟;

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