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机译:SiGe PMOSFET和Si PMOSFET中MOS反转层量子力学效应的仿真和比较
Microelectronics R&D Center, Chinese Academy of Science, Beijing 100029, China;
strained SiGe; PMOSFET; quantum mechanics effects; simulation; analysis;
机译:半经验表面散射模型,用于无应变Si和应变Si / SiGe PMOSFET的量子校正蒙特卡罗模拟
机译:空穴有效质量作为pMOSFET反相层中自洽六频带仿真的助推器
机译:Si(100)衬底上PMOSFET的反型层中的量化效应
机译:Si,Ge,SiGe和GaAs双栅极pMOSFET中空穴传输的量子模拟:方向和应变效应
机译:新型100nm以下pMOSFET中物理模型的增强和带隙工程的探索。
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:在散装和PD-SOI上形成的SiGe PMOSFET电气特性的比较
机译:用于锑化物的高k电介质和低于350摄氏度的III-V pmOsFET的开发优于锗