机译:集成蒙特卡罗/ Si MOSFET的反型层迁移率的分子动力学模拟-衬底杂质的影响
Department of Electronics and Information Systems, Osaka University, Suita-shi, 565- 0871 Japan;
Monte Carlo simulation; molecular dynamics; mobility; screening; MOSFET;
机译:用分子动力学/集成蒙特卡罗(MD / EMC)方法模拟反型层迁移率滚降
机译:用分子动力学/集成蒙特卡罗(MD / EMC)方法模拟反型层迁移率滚降
机译:使用分子动力学/集合蒙特卡罗(MD / EMC)方法模拟反转层迁移率滚降
机译:集成蒙特卡罗/ Si MOSFET中反型层迁移率的分子动力学模拟-衬底杂质的影响
机译:纳米通道中电解质溶液流动的分子动力学模拟和石墨上低密度氯甲烷单层的蒙特卡罗模拟。
机译:结合蒙特卡洛和低胆固醇浓度下水合脂质-胆固醇脂质双层的分子动力学模拟。
机译:关于Si MOSFET中反转层迁移率的普遍性:第一部分—衬底杂质浓度的影响