机译:V形沟型Si基板上的GaAs外延生长的热应力降低
机译:GaAs纳米结构的选择性生长和随后的InAs量子点在纳米压印光刻图案化的SiO_2 / GaAs衬底上的引导自组装
机译:LPE和CCLPE在圆形图案化GaAs(100)衬底上GaAs的选择性外延生长机理
机译:使用CBR / SUB 4 /和CCL / SUB的V-沟槽图案GAAs基材上的GaAs的一步选择性生长。/
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:在图案化的GaAs衬底上AlGaAs / GaAs和InGaP / GaAs结构的MOVPE生长