机译:低于0.18 / spl mu / m CMOS技术的逆向阱注入中确定性空间变化对浅沟槽隔离的影响
机译:0.35 / spl mu / m SiGe BiCMOS技术中的总剂量对浅沟槽隔离漏电流特性的影响
机译:比较模拟应用中0.18和0.25 / spl mu / m CMOS技术中的电离辐射效应
机译:浅沟槽隔离研究0.25 / 0.18 / SPL MU / M CMOS技术及其他
机译:商用深亚微米CMOS技术中的浅沟槽隔离边界单光子雪崩二极管。
机译:一种四通道低噪声读出IC用于空气流量测量使用热线风速计在0.18μmCMOS技术中
机译:采用0.18μmCmOs技术实现零中频混频器的高LO-RF隔离