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机译:比较模拟应用中0.18和0.25 / spl mu / m CMOS技术中的电离辐射效应
Dipt. di Ingegneria Ind.e, Univ. di Bergamo, Dalmine, Italy;
CMOS analogue integrated circuits; radiation hardening (electronics); X-ray effects; gamma-ray effects; annealing; 1/f noise; integrated circuit noise; thermal noise; ionizing radiation effects; CMOS transistors; device scaling; low-noise rad-hard analog circuits; annealing; biasing conditions; radiation hardness properties; front-end electronics; threshold voltage; 1/f noise; total dose; 10 keV;
机译:0.18- / spl mu / m CMOS,用于混合数字和模拟应用,具有零伏V / sub /外延沟道MOSFET
机译:设计0.18- / splμm/ m CMOS产生的模拟检测器读出电路的辐射硬度观点
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS技术的模拟I / O单元的ESD失效机制
机译:在0.25- / spl mu / m和0.18- / spl mu / m的2 GHz频率下的低噪声放大器比较RF-CMOS和SiGe BiCMOS
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:采用0.18μmCMOS技术的超低功耗RFID / NFC前端IC用于无源标签应用
机译:采用0.18美元/微米CMOS工艺制造的CMOS单片有源像素传感器的非电离辐射硬度