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机译:0.35 / spl mu / m SiGe BiCMOS技术中的总剂量对浅沟槽隔离漏电流特性的影响
机译:高性能0.35- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术,针对0.6- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术的产品移植进行了优化
机译:采用0.35- / spl mu / m BiCMOS SiGe技术的多标准通信的低相位噪声IP VCO
机译:0.18- / splμm/ m SiGe BiCMOS工艺中用于ESD保护设计的低泄漏深沟道二极管的特性
机译:采用0.35 / spl mu / m深沟槽隔离SiGe BiCMOS技术的5.2 GHz 16 dB增益CMFB吉尔伯特下变频混频器
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:使用0.35μmSiGe BiCMOS技术的可调谐多频带差分LC VCO设计用于多标准无线通信系统