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机译:低于0.18 / spl mu / m CMOS技术的逆向阱注入中确定性空间变化对浅沟槽隔离的影响
机译:0.18微米以下CMOS技术中逆行井植入物中确定性空间变化对浅沟槽隔离的影响
机译:0.35 / spl mu / m SiGe BiCMOS技术中的总剂量对浅沟槽隔离漏电流特性的影响
机译:高性能0.35- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术,针对0.6- / spl mu / m 3.3-V BiCMOS技术的产品移植进行了优化
机译:逆行阱植入物中确定性空间变化对浅沟槽隔离和闩锁免疫力的影响
机译:商用深亚微米CMOS技术中的浅沟槽隔离边界单光子雪崩二极管。
机译:深沟槽隔离和倒金字塔结构用于通过仿真提高CMOS图像传感器中光电二极管的光学效率
机译:设计用于深亚微米CMOS技术中的浅沟槽隔离二极管作为静电放电保护