Jiangsu Provincial Key Lab of Advanced Photonic and Electronic Materials, Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, China 210093;
CVD; graded Si_(1-x)Ge_x:C buffers; Ge films; diffuse;
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:Poly Si_(1-x)Ge_x薄膜中具有Ge含量的Poly Si_(1-x)Ge_x / ZrO_2的界面反应
机译:在具有Si_(1-x)Ge_x和Si_(1-y)C_y缓冲层的Si衬底上生长的La_(0.75)Sr_(0.25)MnO_3膜的性质
机译:渐变Si_(1-x)GE_X:C缓冲器上的GE胶片CVD生长
机译:镧镍氧化物电极上MOCVD衍生的钙钛矿铅锆(x)钛(1-x)氧(3)和铅(scan钽)(1-x)钛(x)氧(3)薄膜的微观结构和电性能缓冲硅
机译:利用MOCVD一步法生长大晶粒薄膜SnS
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型