NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan;
electron states at surfaces and interfaces; surface double layers, schottky barriers, and work functions; III-V semiconductors;
机译:Au / Ni / N-GaN肖特基势垒二极管表面处理和退火的影响
机译:(Ni / Au)-lnAIGaN / GaN肖特基势垒二极管的不均匀势垒高度分析
机译:不均匀光刻制造的Au / n-GaAs肖特基势垒二极管在80 K至320 K范围内的横向势垒高度评估
机译:使用MESA结构二极管评估AU,PD和NI的肖特基势垒高度,PD和NI评估
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:Ni / Pd / n-GaN肖特基势垒二极管的电荷传输结构和光学性质的中能碳和氮离子束诱导修饰
机译:在AU-TIBX-N-GAN-I-AL2O3肖特基势垒二极管电流流动隧道机制