University of South Florida, Dept. of Electrical Engineering, 4202 E. Fowler Ave., Tampa, FL 33620, USA;
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Anvil Semiconductors Ltd, Birmingham Rd., Allesley, Coventry, CV5 9QE, UK;
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机译:用于大功率MOSFET的高质量异质外延3C-SiC(001)的界面态密度评估
机译:MOSFET应用中高质量异质外延3C-SiC(001)的电性能评估
机译:CVD法在4H-SiC上进行3C-SiC异质外延生长的分步实验
机译:用于电子和生物医学应用的Si异质外延生长的3C-SiC
机译:电子应用硅上外延3C-SiC薄膜的生长和表征。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:用乙炔气体在si(001)上平滑表面制备3C-siC的异质外延生长
机译:碳基电子学在sIC上生长石墨和金刚石薄异质外延层