University of Erlangen-Nuremberg, Chair of Electron Devices, Cauerstrasse 6, 91058 Erlangen, Germany;
annealing; ion implantation; sheet resistance; surface roughness;
机译:离子注入SiC的固态微波退火与常规炉退火的比较
机译:离子注入SiC的固态微波退火与常规炉退火的比较
机译:1950摄氏度的Al +注入4H-SiC注入后退火:退火时间的相关性
机译:铝的退火植入4H-SIC:炉子和灯退火的比较
机译:使用硅烷超压对碳化硅中铝掺杂剂的注入退火
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:铝注入4H-siC的退火:炉和灯退火的比较
机译:固态微波退火与离子注入siC常规炉退火的比较2。杂志文章