机译:1950摄氏度的Al +注入4H-SiC注入后退火:退火时间的相关性
机译:1950摄氏度的Al +注入4H-SiC注入后退火:退火时间的相关性
机译:Al〜+注入的4H-SiC的1950℃退火:薄层电阻与退火时间的关系
机译:离子注入4H-SiC VDMOSFET源区的磷:后植入后退火时间的影响
机译:4H-SiC离子注入双极连接:1950℃温度的相关性,用于后植入退火
机译:沉积后注入和退火对PECVD沉积氮化硅膜性能的影响
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:1950°C的Al +注入的4H-SiC的注入后退火:退火时间的相关性