Material Technology Group, Memory Division, Device Solution Network, Samsung Electronics Co., Ltd.;
San #16 Banwol-Ri, Taean-Eup, Hwasung-City, Gyeonggi-Do, Korea, 445-701;
248-nm single layer resist; activation energy; LER; acetal; annealing; acid diffusion;
机译:具有低活化能的50 nm以下半间距成像化学放大的光刻胶
机译:基础添加剂对模型化学放大光刻胶反应扩散前沿的影响
机译:化学放大极低的抗蚀剂中的潜像形成,具有低活化能,可进行脱保护反应
机译:在化学放大的光刻胶中使用凝胶层的概念对LER进行解释
机译:通过施加电场在化学放大的光刻胶中置换各向异性酸催化剂。
机译:通过非化学放大光刻胶的EUV定向极性切换对复杂纳米特征的高度有序阵列进行构图
机译:用于化学扩增抗蚀剂的脱保护反应的激活能量:使用原位FT-IR光谱的研究。