DongbuAnam Semiconductor, Umsung, Chungbuk, 369-852, Korea;
LER; sub-100nm features; random detachment; gel layer; hydrophilicity;
机译:高阶光刻:双保护的化学扩增的光致抗蚀剂(DD-CAMP)
机译:在正色调化学放大光致抗蚀剂体系中添加低分子化合物的溶出促进作用
机译:在正色调化学放大光致抗蚀剂体系中添加低分子化合物的溶出促进作用
机译:活化能对化学放大KrF光刻胶中LER的影响
机译:通过施加电场在化学放大的光刻胶中置换各向异性酸催化剂。
机译:通过非化学放大光刻胶的EUV定向极性切换对复杂纳米特征的高度有序阵列进行构图
机译:用于极端紫外光刻的聚碳酸酯基非化学放大光刻胶