Intel Corporation, Hillsboro, OR USA 97124;
机译:化学增强分子抗蚀剂降低线宽粗糙度的分解和粗糙度分析
机译:用于电子束光刻的化学放大抗蚀剂的线宽粗糙度的抵抗厚度依赖性
机译:使用航空和SEM图像分析评估EUV掩模对晶圆线宽粗糙度的影响
机译:通过三参数模型在使用CO_2相容盐(CCS)的均质CO_2溶液中显影后的EUV抗蚀剂的线宽粗糙度分析
机译:用于EUV光刻的光刻胶中的线边缘粗糙度和二次电子相互作用的研究
机译:EUV光刻胶的分子模型揭示了链构象对线边缘粗糙度形成的影响
机译:EUV抗蚀线边缘粗糙度减轻的顺序渗透合成