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机译:EUV抗蚀线边缘粗糙度减轻的顺序渗透合成
Marina Baryshnikova; Danilo De Simone; Werner Knaepen; Krzysztof Kachel; BT Chan; Sara Paolillo; Jan Willem Maes; David De Roest; Paulina Rincon Delgadillo; Geert Vandenberghe;
机译:使用高压CD-SEM的EUV抗蚀剂的CD计量:收缩率,图像清晰度,可重复性和线条边缘粗糙度
机译:优化随机EUV抗蚀剂模型参数以减轻线边缘粗糙度
机译:用于EUV光刻的光刻胶中的线边缘粗糙度和二次电子相互作用的研究
机译:EUV光刻胶的分子模型揭示了链构象对线边缘粗糙度形成的影响
机译:EUVL抗蚀剂低偏向和小线边缘粗糙度的减轻
机译:光敏化化学抗蚀剂中EUV发射噪声的EUV缓解,变成了酸性发射噪声
机译:化学增强的正型抗蚀剂成分,使用相同的抗蚀剂膜,使用相同的抗蚀剂施加的面膜毛坯,以及使用具有相同能力的抗蚀剂图案形成方法,以提高曝光度和线边缘粗糙度
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