EUV光致抗蚀剂研究进展

摘要

波长13 5nm的极紫外(EUV)光刻技术可以刻画线幅<32nm的图像,能满足信息技术对于光致抗蚀剂高分辨率的要求,即将成为下一代纳米成像技术,利用EUV成像技术,可以实现集成电路的超小型化.本文调研了近几年来EUV抗蚀剂的研究进展,指出影响抗蚀剂性能的主要因素,包括分辨率、LWR、LER、成像灵敏度、产气作用、成像侧面角度等,对近几年来有关EUV光致抗蚀剂的研究开发情况进行了归纳总结.