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机译:使用限制倾斜电子断层扫描的EUV光致抗蚀剂参考计量的路径
Andrew Barnum; Mark Biedrzycki; Alain Moussa;
机译:更好地理解随着EUV光致抗蚀剂的途径
机译:更好地了解EUV光刻胶中的随机性的途径
机译:光致抗蚀剂的光致抗蚀剂分散在DUV,VUV,EUV和BEUV辐照上的光致抗蚀剂
机译:使用TEM层析成像的EUV光致抗蚀剂参考计量
机译:用于EUV光刻的光刻胶中的线边缘粗糙度和二次电子相互作用的研究
机译:使用基于比尔-兰伯特定律的层析成像倾斜图像同时测定样品厚度倾斜度和电子平均自由程
机译:在EUV曝光期间与光致抗蚀剂的化学相互作用来解开光子和电子的作用
机译:适于作为酸产生剂的盐,适用于ARF准分子激光光刻,KRF准分子激光光刻,EUV,乳化光刻和电子束光刻的光致抗蚀剂组合物,以及光致抗蚀剂的制造方法
机译:降低EUV光刻胶对带外辐射的敏感性的方法以及根据该方法形成的EUV光刻胶
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