抗蚀剂

摘要： 现代化的喷墨技术Update on Inkjet Technologies喷墨是印刷电子产品中使用的技术之一,工业喷墨打印机有四个重要元素:打印头、油墨、打印模块油墨制备及固化、CAM(计算机辅助制造)数据准备和基板定位系统。打印头是喷墨打印机的核心,喷头的能力是液滴大小、其重叠性和喷头可达到的频率。油墨配方的挑战包括黏度、扩散、固化。系统软件和定位包括喷墨头的定位,建立驱动喷墨头和基板定位的CAM信息。喷墨打印用于文字和阻焊打印的优势已得到证实,作为抗蚀剂和导电油墨的线路打印应用越来越多。

摘要： 为探究海藻多糖抗蚀剂(SA-01)在控制坡面水土流失中的效果及作用机理,该研究以南方红壤区典型红壤为例,通过人工模拟降雨试验(雨强90 mm/h,坡度5°、10°、15°),设置不同施加浓度(0、0.25％、0.50％、0.75％、1.00％),分析SA-01施加浓度对红壤坡面产流产沙过程的影响,并结合土样斥水性试验、团聚体稳定性试验和电镜扫描分析SA-01影响坡面土壤侵蚀的作用机理.结果表明:与不施加SA-01的坡面相比,施加SA-01后坡面产流时间提前,稳定径流量增大.随施加浓度增大,坡面产流量增加比例也增大.施加SA-01后能显著降低坡面土壤侵蚀产沙量,这主要是由于土壤施加SA-01后,与土壤中的Ca2+等阳离子发生螯合反应,在土壤颗粒表面生成有一定强度的保护层有关,保存层的存在使土壤斥水性增大,减少了土壤团聚体的遇水分散性,提高了各级粒径土壤团聚体的稳定性.0.25％的施加浓度即可将团聚体水稳性提升到70％以上,这为中国南方以排水保土为核心的水土保持工作提供了新思路.

摘要： 基于电子束曝光基本理论和工艺原理,以涂覆有PMMA抗蚀剂的石英玻璃为研究对象,采用电子束曝光制备微细阵列结构,研究不同工艺参数对曝光微细阵列孔和阵列槽结构的影响.结果表明,在PMMA薄膜厚度250 nm、曝光剂量400 pAs/cm2、显影时间120 s的条件下,可制备出直径2μm的阵列微孔结构;在PMMA薄膜厚度225 nm、曝光剂量500 pAs/cm2、显影时间90 s的条件下,可制备出宽度1μm、间距50μm的阵列微槽结构.

摘要： 简述了光刻技术及光刻材料的发展过程及发展趋势,对光刻技术在集成电路和半导体分立器件的微细加工以及印刷电路板、平板显示器、触摸屏等制作过程中的应用进行了概述.并重点围绕光刻胶在集成电路制造中的应用,对其反应机理、应用性能等进行了阐述.同时还对光刻材料的市场特别是中国市场的现状及前景做了一定分析.

摘要： 简要叙述了全球主要国家和地区印制电路板用化学品和半导体封装材料生产情况.并提出在全球电子化学品产业转移的有利条件下,加强自主研发能力,开发高技术产品是我国电子化学品行业发展的方向.

摘要： 近年来纳米压印技术迅猛发展，已引起业界广泛关注。纳米压印是一种全新的纳米图型复制方法，利用不同材料之间的杨氏模量差，使两种材料之间相互作用来完成图型的复制转移。与传统的光刻工艺相比，压印技术不是通过改变抗蚀剂的化学特性实现抗蚀剂的图形化，

摘要： 为了研究微纳米压印中抗蚀剂的填充行为,采用三维数字离焦微流场测速技术对抗蚀剂内分散的荧光示踪粒子进行粒子离焦图像采集.针对粒子离焦图像的特殊性,提出基于两帧离焦图像的三维粒子跟踪测速(3D-PTV)算法.实现了对粒子三维运动轨迹的追踪,构建示踪粒子三维速度场.基于计算流体动力学(CFD)方法建立微压印抗蚀剂填充行为数值计算模型,将可视化实验结果与数值计算结果进行对比,两者吻合较好,证明三维数字离焦微流场测速技术在构建抗蚀剂填充过程微流场中的有效性.

摘要： Resist was coated on the rectangular ferrite substrate by spin-coating route of semiconductor technology, and the relation were investigated between thickness and uniformity of resist and the spin-coating speed and time. The thickness of resist gradually decreases with increasing spin-coating speed. For spin-coating speed of faster than 2500 r/min, the thickness difference of resist is within 5%. Meanwhile, the thickness of resist decreases with prolonging spin-coating time and finally tends to reach a constant value. The thickness difference of resist is within 5% as the spin-coating time is over 20s. At last, the effect of spin-coating center was analyzed on the spin-coating behavior.%采用半导体工艺的旋转涂胶法,在矩形铁氧体衬底上旋涂抗蚀剂,研究了其涂覆特性,给出了抗蚀剂的厚度与旋涂转速和旋涂时间的关系曲线及均匀性.随着旋涂转速的提高,抗蚀剂的厚度逐渐减薄；当旋涂转速大于2500r/min时,抗蚀剂厚度差小于5％.同时,随着旋涂时间的延长,抗蚀剂厚度也会减小,并最终趋向一个恒定值；当旋涂时间长于20s时.抗蚀剂厚度差小于5％.最后,分析了旋涂中心对抗蚀剂旋涂性能的影响.

摘要： Proton beam writing(PBW) is a direct-writing technique that uses a highly focused MeV proton beam to pattern structures of micro- or nano-dimensions in a suitable resist material. The PBW instrumentation was established on the scanning proton microprobe beamline of Key Laboratory of Nuclear Analysis Techniques (Shanghai Institute of Applied Physics, CAS). The study of spin-coating resist layer and developing technology was carried out. A Haibao outline and a double-rectangular micro-structure were fabricated on the positive resist layers; the parallel lines and a crisscross micro-structure were fabricated on the negative resist layers.%质子束刻写技术利用MeV能量的聚焦质子束对抗蚀剂材料直接刻写μm甚至nm尺度微结构.研究了质子束刻写中抗蚀剂胶层样品厚度与涂层机旋转速度的关系以及曝光对抗蚀剂的影响,解决了质子束刻写中抗蚀剂厚胶层样品的制备、固化、显影等技术问题,利用扫描质子微探针系统,在正型抗蚀剂胶层上刻写出μm尺度的“海宝”图形、双矩形结构,在负型抗蚀剂上刻写出μm 尺度的平行线条、“十”字形微结构.

摘要： 本文对光致抗蚀剂做了简要的介绍,回顾了它在国内外的发展情况,并对液态光致抗蚀剂的组成、性能和使用方法及其在辊筒印花上的应用进行了详细的探讨.

摘要： 本文对液态光致抗蚀剂--在PCB制造工艺中的应用进行了研究。文章介绍了液态光致抗蚀剂的工艺特性，阐述了其工艺流程和工艺条件，并指出了应注意的问题。

摘要： 在微型图案的小型化过程中,微图案的粘附失效已成为微电子生产中的一大问题.基于此考虑,为提高粘附强度,在200~250°C下对抗蚀剂图案进行处理.然而,在酚醛软化点156°C之上时,就会发生热变形.本实验讨论了影响抗蚀剂微图案的变形因素,重点研究形状对形变度的影响.

摘要： 本文对化学增幅抗蚀剂体系的组成及化学增幅作用做了说明.介绍了化学增幅作用中的关键组分-光产酸源和酸增殖剂的发展概况.并对重氮盐、鎓盐、有机多卤化物、磺酸酯类化合物等产酸源的产酸机理、适用光源分别进行了阐述.从目前国际发展的趋势来看,硫鎓盐和磺酸酯类的光产酸源占据主要地位,有机多卤化物中的三嗪化合物还有少量应用.嚬哪醇单磺酸酯类化合物作为酸增殖剂使用较为普遍.

摘要： 了可用于微机电系统加工的细电子束液态曝光技术.对该工艺的曝光方式、真空度需求、抗蚀剂选择以及能量和剂量需求等问题进行了研究.在此基础上,采用SDS-Ⅱ型曝光机在5×10-3Pa的系统真空度、25kV加速电压、3μC/cm2曝光剂量的条件下,成功地固化了3μm厚的环氧618液体,给出了固化图片.

摘要： 极紫外光刻中掩模板热变形是不可忽略的.本文采用有限元方法,针对工业化生产条件(80wafer-per-hour)计算掩模板热变形.抗蚀剂感光度为7mJ/em2时,x-y平面内最大变形为1.6rm,z方向最大变形为0.27nm.掩模板热变形引起掩模图形偏移,最大偏移为1.6nm.经过曝光显影,对于45nm密集线,掩模板热变形引起抗蚀剂图形的CD变化0.06nm、侧壁角度变化1.78°、抗蚀剂图形最大偏移0.35nm.对于45nm半密集线,抗蚀剂图形的CD变化0.2nm、侧壁角度变化2.5°、抗蚀剂图形最大偏移0.45nm.

摘要： 电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.

摘要： 本文提出了电子束重复增量扫描曝光技术新概念.文中对吸收能量密度与深度和曝光剂量之间的关系、溶解速度与吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现溶解速度随曝光剂量增加而增大.以此为依据,在SDS-3型电子束曝光机上采用20keV能量的电子束对570nm厚的聚甲基丙烯酸甲酯进行了重复增量扫描曝光实验,显影后得到了轮廓清晰的梯锥和圆锥三维结构,证明了电子束重复增量扫描曝光技术的可行性,为电子束加工三维结构提供了新工艺.

摘要： 本文提出了电子束重复增量扫描曝光技术新概念.文中对吸收能量密度与深度和曝光剂量之间的关系、溶解速度与吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现溶解速度随曝光剂量增加而增大.以此为依据,在SDS-3型电子束曝光机上采用20keV能量的电子束对570nm厚的聚甲基丙烯酸甲酯进行了重复增量扫描曝光实验,显影后得到了轮廓清晰的梯锥和圆锥三维结构,证明了电子束重复增量扫描曝光技术的可行性,为电子束加工三维结构提供了新工艺.

摘要： 本文提出了电子束重复增量扫描曝光技术新概念.文中对吸收能量密度与深度和曝光剂量之间的关系、溶解速度与吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现溶解速度随曝光剂量增加而增大.以此为依据,在SDS-3型电子束曝光机上采用20keV能量的电子束对570nm厚的聚甲基丙烯酸甲酯进行了重复增量扫描曝光实验,显影后得到了轮廓清晰的梯锥和圆锥三维结构,证明了电子束重复增量扫描曝光技术的可行性,为电子束加工三维结构提供了新工艺.

摘要： 本发明提供耐热性优异的含酚羟基的化合物；耐热分解性、感光度以及分辨率优异的抗蚀剂用组合物；以及耐热分解性和干蚀刻耐性优异的抗蚀剂下层膜用组合物。一种含酚羟基的化合物，其特征在于，具有下述结构式(1)表示的分子结构。(式中，R1为氢原子、烷基或芳基，n为2～10的整数。R2为烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、卤素原子中的任一种，m为0～4的整数。m为2以上时，多个R2任选各自相同或不同，并任选与萘骨架的2个芳香环之中的任意一个键合)。

摘要： 本发明的抗蚀剂图案形成方法含有：抗蚀剂层形成步骤(S101)，在基板(11)上形成抗蚀剂层(12)；活性化步骤(S103)，通过活性能量束的照射将所述抗蚀剂层活性化；衰减抑制步骤(S105)，对所述抗蚀剂层的活性衰减进行抑制；图案潜像形成步骤(S107)，通过潜像形成能量束的照射，在所述活性化了的抗蚀剂层上形成图案潜像；以及显影步骤(S110)，对所述抗蚀剂层进行显影。

摘要： 一种正型抗蚀剂组合物，其含有：(A)聚合物化合物，所述聚合物化合物具有其中酚羟基的氢原子被由下式(I)表示的酸不稳定基团代替的结构，其中R表示单价有机基团；A表示具有多环烃环结构的基团或具有多环杂环结构的基团；并且*表示与所述酚羟基的氧原子的结合位置。

摘要： 本发明提供一种抗蚀剂图案形成方法，依序包含：(1)使用负型化学增幅型抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，其中负型化学增幅型抗蚀剂组合物含有如下组分：具有如在本说明书中所定义的由式(1)表示的重复单元的(A)聚合物化合物、(B)能够在用光化射线或辐射照射后产生酸的化合物以及(C)能够由酸的作用交联聚合物化合物(A)的交联剂；(2)使抗蚀剂膜曝光，从而形成经曝光的抗蚀剂膜；以及(4)使用含有有机溶剂的显影剂使经曝光的抗蚀剂膜显影。

摘要： 一种功能梯度型无机抗蚀剂，其具有被照射激光的主表面和与上述主表面相向的背面、通过热而变化状态；上述功能梯度型无机抗蚀剂包含单层抗蚀剂；使上述单层抗蚀剂的至少组成从上述主表面侧至上述背面侧连续地变化；上述单层抗蚀剂中，局部被照射激光时达到一定温度的区域的各向异性从上述主表面侧向上述背面侧连续地提高。

摘要： 本发明涉及一种抗蚀剂组合物，含有：对显影液的溶解性因酸的作用而变化的基材成分(A)、通过曝光产生酸的产酸剂成分(B)、酸扩散控制剂成分(D)、以及以式(e‑1)表示的含乙烯基化合物(E)，所述基材成分(A)的质均分子量为8000～18000，固体成分浓度为25质量％以上(式中，R27为碳数为1～10的支链状或直链状的亚烷基或者以式(e‑2)表示的基团；R28分别独立地为碳数为1～10的支链状或直链状的亚烷基，所述亚烷基可以在主链上含有醚键；c分别独立地为0或1)。

摘要： 本发明提供耐热性优异的含酚羟基的化合物；耐热分解性、感光度以及分辨率优异的抗蚀剂用组合物；以及耐热分解性和干蚀刻耐性优异的抗蚀剂下层膜用组合物。一种含酚羟基的化合物，其特征在于，具有下述结构式(1)表示的分子结构。(式中，R1为氢原子、烷基或芳基，n为2～10的整数。R2为烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、卤素原子中的任一种，m为0～4的整数。m为2以上时，多个R2任选各自相同或不同，并任选与萘骨架的2个芳香环之中的任意一个键合)。

摘要： 根据本发明的化学增幅型抗蚀剂组合物包含(A)包括具有一个或多个氟原子的三芳基锍阳离子并且能够通过活性射线或辐射的照射而生成体积为

摘要： 本发明的抗蚀剂图案形成方法含有：抗蚀剂层形成步骤(S101)，在基板(11)上形成抗蚀剂层(12)；活性化步骤(S103)，通过活性能量束的照射将所述抗蚀剂层活性化；衰减抑制步骤(S105)，对所述抗蚀剂层的活性衰减进行抑制；图案潜像形成步骤(S107)，通过潜像形成能量束的照射，在所述活性化了的抗蚀剂层上形成图案潜像；以及显影步骤(S110)，对所述抗蚀剂层进行显影。

摘要： 一种正型抗蚀剂组合物，其含有：(A)聚合物化合物，所述聚合物化合物具有其中酚羟基的氢原子被由下式(I)表示的酸不稳定基团代替的结构，其中R表示单价有机基团；A表示具有多环烃环结构的基团或具有多环杂环结构的基团；并且*表示与所述酚羟基的氧原子的结合位置。