Lithography Laboratory, Department of Applied Physics, Hanyang University, Ansan, 426-791, S. Korea;
Lithography Laboratory, Department of Applied Physics, Hanyang University, Ansan, 426-791, S. Korea;
Lithography Laboratory, Department of Applied Physics,;
line width roughness; line edge roughness; surface roughness; resist reflow process; 22 nm noder;
机译:通过使用极压光刻技术的抗蚀剂回流工艺来减少线宽和边缘粗糙度
机译:使用抗蚀剂回流工艺降低线边缘粗糙度,用于22 nm节点的极紫外光刻
机译:从极紫外光刻技术的化学放大抗蚀剂的线宽和边缘粗糙度的剂量-间距矩阵重建潜像
机译:通过抵抗极端紫外光刻的抗蚀剂回流减少线宽和边缘粗糙度
机译:极紫外光刻中掩模的粗糙度引起的线边缘粗糙度
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:用于极端紫外光刻的吸收系统抗蚀剂的吸收系数和线边缘粗糙度的关系