原子的に平坦なステップテラス構造を有するAINホモェピタキシャル成長

摘要

深紫外波長域における高効率AlxGai_xN系LEDの実現のために、低貫通転位密度かつ低不純物 濃度で平坦なA1N層が求められている。我々のグループではスパッタ法と高温ァニール法を組み 合わせ、安価に低貫通転位密度（~ 4x108 cm-2)なA1N薄膜をサファイア基板上に作製できること を報告してきた。[1]しかし高温ァニール後のスパッタA1N薄膜は、ステップバンチングよるマク 口ステップ形成と高さ3 nm程度の微小島の析出という荒い表面形態を呈し、また高い不純物濃度 を有するという問題があった。これに対し本研究では微小島除去のための表面クリーニングを行 つた後、MOVPE法によりA1Nホモェピタキシャル成長を行い、これらの問題解決を試みた。