窒化ガリウムの原子層エッチングに向けたラジカル吸着機構の解明

摘要

窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、次世代パワーデバイスの小型化、高効率化の実現のため注目され、その製造加工は原子スケールでの制御が要求されることから、原子層エッチング（ALE）技術の確立が望まれている。先行研究ではCl 吸着したGaN 表面へのAr イオン照射時間に対するエッチング深さの飽和現象が報告された[1]。本研究では、Cl 吸着過程に着目し、今回、プラズマビーム装置[2]を用いてClラジカル照射したGaN 表面へのCl 吸着挙動を調べ、エッチング深さ制御やAr イオン照射ダメージ制御について考察した。