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用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀液

摘要

本发明公开了一种用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀液,所述刻蚀液由氨基酸或其衍生物溶解于溶剂中组成。本发明以氨基酸或其衍生物为刻蚀剂用于光电化学刻蚀氮化镓,能够有效地刻蚀氮化镓,并且刻蚀工艺对设备要求低、操作方便、流程简易且绿色环保,对材料表面的损伤小。

著录项

  • 公开/公告号CN112779013A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202011632974.3

  • 发明设计人 潘革波;张子昂;张少辉;

    申请日2020-12-31

  • 分类号C09K13/00(20060101);H01L21/306(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司;

  • 代理人孙伟峰;黄进

  • 地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

  • 入库时间 2023-06-19 10:57:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-22

    授权

    发明专利权授予

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