公开/公告号CN112779013A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
申请/专利号CN202011632974.3
申请日2020-12-31
分类号C09K13/00(20060101);H01L21/306(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司;
代理人孙伟峰;黄进
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
入库时间 2023-06-19 10:57:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-22
授权
发明专利权授予
机译: 一种用于光电化学刻蚀特别是由氮化镓制成的半导体样品的方法和设备
机译: 一种用于光电化学刻蚀特别是由氮化镓制成的半导体样品的方法和设备
机译: 利用电化学刻蚀法和光电子法生产游离型氮化镓的方法包括水分解法