Si/β-FeSi2/Si多結晶積層構造における1.5 μm発光のSi基板方位依存性

摘要

これまで我々は，スパッタリング法によりβ-FeSi2多結晶薄膜およびSi/β-FeSi2/Si(100)多結晶積層構造を作製し，1.5 μm発光の評価を行ってきた．その結果，β-FeSi2層へのB添加による1.5 μm発光強度の増大を確認し[1]，発光寿命評価からこの1.5 μm発光がSi欠陥発光を含まないβ-FeSi2のバンド間遷移由来の発光であることを明らかにしてきた[2]．本研究ではSi(100)およびSi(111)基板上にSi/β-FeSi2/Si積層構造を作製し，1.5 μm発光の発光強度および発光寿命の基板方位依存性を評価した．