法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-12-31
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/28 授权公告日:20121107 终止日期:20131112 申请日:20101112
专利权的终止
2012-11-07
授权
授权
2011-06-29
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/28 申请日:20101112
实质审查的生效
2011-05-11
公开
公开
机译: 一种在(100)取向的硅上形成BIPOLAR / JFET的方法,以减少由于温度变化,应力和其他组装现象而引起的输入失调电压不稳定性的程度,
机译: 一种用于制造具有立方晶体结构和基本上轴向取向的磁体的Stabfoermiger磁各向异性持续时间的方法[100]-晶体的方向
机译: 一种用于制造具有立方晶体结构和基本上轴向取向的磁体的Stabfoermiger磁各向异性持续时间的方法[100]-晶体的方向