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崔洪涛; 吴爱民; 秦福文; 谭毅; 闻立时; 姜辛;
大连理工大学;
材料科学与工程学院;
辽宁大连116024;
物理与光电工程学院;
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室;
锡根大学材料工程研究所;
德国锡根57076;
硅衬底; 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积; 多晶硅薄膜;
机译:脉冲激光沉积在Si衬底上的多晶Sr_2FeMoO_6薄膜用于磁阻应用
机译:通过化学溶液沉积法在Si(1 0 0)衬底上制备多晶La 2 sub> NiMnO 6 sub>薄膜
机译:通过化学溶液沉积在Si(100)衬底上制备多晶La2NiMnO6薄膜
机译:等离子体增强原子层沉积在Si,TiN / Si和TaN / Si衬底上生长的Ru薄膜的比较
机译:在二氧化硅(SiO(2))上直接离子束沉积多晶硅(poly-Si)的计算机模拟。
机译:SiO2 / Si衬底上沉积的超薄InSb纳米晶薄膜的表征
机译:sOI / CmOs(si-On-Insulator / CmOs)电路在siO2涂层si衬底上的区域熔化 - 再结晶si薄膜中制造
机译:通过化学气相沉积在Si衬底上的镍薄膜以及在Si衬底上制造硅化镍的方法
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
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