VCSELの高効率化に向けた深い位置におけるイオン注入量子井戸混晶化条件に関する研究

机译：VCSEL高效率离子注入量子阱混合晶体深部条件研究

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光無線給電などの次世代フォトニックシステムに向け，2Dアレイ，高生産性といった特徴を持つ面発光レーザ（VCSEL)の高性能化を目指している.VCSELは優れた性能が実現されているが，電流狭窄のみで活性層面内のキャリア閉じ込めが無く，高効率ィ匕における課題であった.

机译：对于诸如光无线电源之类的下一代光子系统，我们旨在提高具有2D阵列和高生产率等特征的表面发射激光器（VCSEL）的性能。仅由于电流限制，在有源层表面中没有载流子限制，这是高效率的问题。

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来源
《応用物理学会春季学術講演会;応用物理学会》|2018年|3.157|共1页
会议地点
作者
堀切顕徳; 官本智之;
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作者单位

東京工業大学•未来産業研究所 horikiri.k.aa@m.titech. Ac.jp;

東京工業大学•未来産業研究所;

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