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【24h】

Metal Hardmask Etch Residue Removal For Advanced Copper / Low-k Devices

机译:用于高级铜/低k器件的金属硬掩模蚀刻残留物去除

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摘要

Plasma dry etching processes are commonly used to fabricate vertical sidewall trenches and vias for copper (Cu)/low-k dual damascene devices. Small amounts of polymer are intentionally left on the sidewalls of trenches and vias during the dry etching proc
机译:等离子体干法蚀刻工艺通常用于制造用于铜(Cu)/低k双金属镶嵌器件的垂直侧壁沟槽和过孔。在干法蚀刻过程中,有意将少量聚合物留在沟槽和过孔的侧壁上

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