首页> 外文会议>Advanced etch technology for nanopatterning. >Patterning enhancement techniques by reactive ion etch
【24h】

Patterning enhancement techniques by reactive ion etch

机译:通过反应离子刻蚀的图案增强技术

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

The root causes of issues in state-of-the-arts resist mask are low plasma tolerance in etch and resolution limit inlithography. This paper introduces patterning enhancement techniques (PETs) by reactive ion etch (RIE) that solve theabove root causes. Plas
机译:现有技术的抗蚀剂掩模中的问题的根本原因是蚀刻中的低等离子体耐受性和分辨率限制光刻。本文介绍了通过反应离子蚀刻(RIE)来解决上述根本原因的图案增强技术(PET)。普拉斯

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号