机译:低温ZEP-520A开发工艺,用于增强反应离子刻蚀多晶硅中的临界尺寸
机译:反应离子刻蚀在O-2 / Cl-2气体中Ru电极的图案化
机译:使用两步生长技术在浅蚀刻的r平面图案化蓝宝石衬底上生长的{11 -22} GaN的表征
机译:旋转和反应离子刻蚀临界尺寸收缩的双重图案化,可用于32 nm及超出接触级互连的双图案
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:溶剂挥发时间对使用常规或去蛋白结合技术的蚀刻和冲洗粘合剂与牙本质的结合强度的影响
机译:INOX和ITO薄膜通过等离子体增强反应性热蒸发对结构性能和沉积条件的可蚀刻性依赖性