Ga_2O_3イオン注入技術の進展とデバイスプロセスへの適用

摘要

酸化ガリウム (Ga_2O_3) は、その4.5 eVと非常に大きなバンドギャップエネルギー、および融液成長バルクから製造可能な高品質単結晶基板の存在から、次世代パワーエレクトロニクス材料として注目を集めている。また余り知られていないが、他のワイドバンドギャップ半導体とは異なり、活性化アニールが比較的低温で可能なこと、高い活性化率が得られることなど、化合物半導体の中では優れたイオン注入プロセス適用性を有する。本講演では、我々がこれまでに開発してきたn, p両型イオン注入ドーピング技術、およびそれらを適用して作製に成功した縦型トランジスタについて報告する。