Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan;
Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan;
Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan;
Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan;
Substrates; Lattices; Epitaxial growth; X-ray scattering; Gallium; Chemical vapor deposition;
机译:通过雾化学气相沉积在立方(111)MgO和(111)氧化钇稳定的氧化锆衬底上异质外延生长ε-Ga2O3薄膜
机译:α-(ALXGA1≤x)2O3单层和异质结构缓冲剂,用于通过雾化学气相沉积生长导电Sn掺杂α-Ga2O3薄膜
机译:前驱体浓度和生长时间对薄雾化学气相沉积法制备的α-Ga2O3薄膜表面形貌和结晶度的影响
机译:通过雾化学气相沉积的立方(111)GGG基板上ε-GA2O3薄膜的异质生长
机译:具有衬底偏置的超声等离子体喷射化学气相沉积系统中的立方氮化硼膜沉积和过程诊断。
机译:载气对薄雾化学气相沉积法生长刚玉结构外延刚玉结构α-Ga2O3薄膜质量的影响
机译:α-(ALXGA1-X)2O3单层和异质结构缓冲剂,用于通过雾化学气相沉积生长导电Sn掺杂α-Ga2O3薄膜
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响