NEC Corp., Kanagawa, Japan;
III-V semiconductors; UHF power amplifiers; gallium compounds; high electron mobility transistors; AM-AM deviation; GaN; GaN HEMT; LTE carrier; commercially available RF predistorter IC; current collapse; efficiency 38 percent; frequency 1.8 GHz; frequency 20 MHz; multistage GaN Doherty PA; operating class; power 2 W; Gallium nitride; HEMTs; Linearity; Logic gates; MODFETs; Power amplifiers;
机译:AlGaN / GaN HEMT中的中性束工艺:对电流崩塌的影响
机译:沟道热电子对AlGaN / GaN HEMT中电流崩塌的影响
机译:水分和碳氟化合物钝化对AlGaN / GaN HEMT电流崩塌的影响
机译:GaN Hemts目前塌陷对Doherty多级PA线性的影响
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:用源连接的P-GaN(SCPG)抑制缓冲诱导的GaN HEMT的电流塌陷:模拟研究
机译:用于减少alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)中电流崩塌的表面钝化膜的比较