Microelectronics Research Center, University of Texas, Austin, 78712, USAc;
机译:3D互连:使用X射线显微镜观察各种温度下填充铜的硅通孔(TSV)中引起的挤压和空隙
机译:铜硅通孔(TSV)在热退火过程中的微观结构演变和缺陷形成
机译:铜硅通孔(TSV)在热退火过程中的微观结构演变和缺陷形成
机译:微观结构对铜通过硅通孔(TSVS)结构的可靠性含义对通过挤出曲线和可靠性影响的影响
机译:对3D集成电路中通过硅通孔的热应力和可靠性的缩放和微观结构效应
机译:脉冲电流和预退火对通过硅通孔(TSV)铜热挤出的影响
机译:3D硅直通孔(TSV)对通孔挤出的处理效果互连:两种TSV结构的比较研究