用于电沉积铜的工艺,在穿硅通孔(TSV)中的芯片间、芯片到晶片间和晶片间的互连

摘要

一种在硅衬底中的通孔中电沉积高纯度铜以形成穿硅通孔(TSV)的工艺，包括：将所述硅衬底浸入电解铜镀层系统中的电解池中，其中所述电解池包括酸、铜离子源、亚铁和/或正铁离子源以及用于控制所沉积的铜的物理机械特性的至少一种添加剂；以及施加电压的时间足以电沉积高纯度铜来形成TSV，其中在所述池中建立Fe⁺²/Fe⁺³氧化还原系统，以通过从铜金属源溶解铜离子来提供将要被电沉积的额外的铜离子。