CRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France;
rnCRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France;
rnCRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France;
rnCRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France;
rnCRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France;
rnCRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France STMicroelectronics, Crolles, France;
rnCRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France;
rnCRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France Picogiga International, Courtaboeuf, France;
rnCRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France;
rnCRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory, Valbonne, 06560, France STMicroelectronics, Crolles, France;
rnCRHEA, CNRS, rue Bernard Gregory,;
机译:独立式GaN衬底上的AlGaN / GaN HEMT:MBE生长和微波表征
机译:rf-MBE生长和在相邻蓝宝石(0001)衬底上的AlGaN / GaN HEMT的表征
机译:利用rf-MBE在超级SiC衬底上使用超晶格准AlGaN合金势垒生长GaN-HEMT结构
机译:通过MBE硅基板上的AlGaN / GaN Hemts的生长
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:硅衬底上用于AlGaN / GaN HEMT的缓冲结构的生长