机译:直径为6英寸的Si衬底金属-有机气相外延系统上的高生长速率AlGaN缓冲层和用于AlGaN / GaN HEMT的低碳GaN的大气压生长
机译:硅基板上用于AlGaN / GaN HEMT和InGaN / GaN MQW的高级缓冲器
机译:采用不同缓冲层配置的200mm硅(111)基板上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的研究
机译:用汞探针表征AlGaN / GaN /硅衬底HEMT结构上的氮化硅覆盖电介质
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:通过C-V和DLTS测量对硅衬底上的AlGaN / GaN FAT-HEMT中的陷阱进行电学表征